Пару лет назад эксперты Уолл-Стрит и Кремниевой долины прогнозировали, что в скором времени рынок носимых устройств станет «очередным прорывом». Но, как предупреждал Питер Линч в своей книге «Один против Уолл-Стрит», «прорывы часто бывают ложными — будь то Бродвей, список бестселлеров, Национальная баскетбольная ассоциация или Уолл-Стрит».
DRAM и NAND в одном чипе — исследователи создали память с изменением фазы, которая не потребляет много энергии
Раздел Технологии выходит при поддержке Favbet Tech Исследователи Корейского передового института науки и технологий (KAIST) в Южной Корее разработали новый...
Read more