Американская компания Crossbar из Санта-Клары, штат Калифорния, сообщила, что первые серийные образцы энергонезависимой памяти нового типа ReRAM, уже готовы. Как сообщается, сама Crossbar не намерена выпускать память, она будет только лицензировать разработку по примеру ARM.
Выпуском же займётся, в частности, китайская компания SMIC, получившая лицензию в марте 2016 года. Резистивная память выпускается с использованием 40-нм техпроцесса, а в течение первой половины текущего года обещают выйти 28-нм образцы ReRAM. Crossbar намерена на базе первых образцов разработать технологию встраиваемой в микроконтроллеры и SoC памяти ReRAM. При этом отметим, что такая память выдерживает до 100 тысяч циклов записи. Это позволит заменить память NOR-флеш, оптимизированную для запуска кода, и память NAND-флеш, которая используется в SSD и картах памяти. При этом ReRAM превосходит NAND по быстродействию – задержки в ней составляют 20 наносекунд, а в NAND – целые миллисекунды. Кроме этого, ReRAM перед записью не надо очищать, что упрощает структуру сигнала и сокращает время на операции.
Принцип работы памяти ReRAM состоит в формирования нитей из ионов серебра в рабочем слое из аморфного кремния. Рабочее напряжение одной полярности заставляет ионы серебра мигрировать в рабочий слой из серебряных электродов снаружи ячеек, а рабочее напряжение обратной полярности возвращает ионы серебра обратно в электроды. Малое же напряжение позволяет считывать состояние ячеек, при этом таких состояний может быть несколько. А саму память можно выпускать в виде многослойного стека.
Таким образом, это весьма перспективная разработка. Остаётся только дождаться её реализации.
