Преимущество южнокорейских производителей памяти DRAM кажется бесспорным, учитывая, что Samsung Electronics и SK Hynix контролируют три четверти мирового рынка DRAM. Однако Китай, стремящийся улучшить свою полупроводниковую самодостаточность, сдаваться не собирается.
Китай является крупнейшим импортёром чипов памяти и при этом активно наращивает свои амбиции в качестве самостоятельного производителя. Тем не менее, недавние санкции США против производителя DRAM-памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit Company, основанного при активной поддержке властей Китая, а также продолжающаяся напряжённость в торговле между США и Китаем замедлят темпы развития местного сектора чипов памяти.
Корейские Samsung и SK Hynix продолжают расширять свой технологический разрыв с конкурентами в сегменте DRAM, причём Samsung уже разрабатывает чипы LPDDR5 класса 10 нм, а SK Hynix представила первую в отрасли память DDR5, которая полностью соответствует стандартам JEDEC. Согласно данным DRAMeXchange, доля Samsung и SK Hynix на мировом рынке DRAM достигла 74,6 % в третьем квартале 2018 года, а за ними следует американская Micron Technology с долей в 21,1 %.
По мнению исполнительного директора Powerchip Technology Фрэнка Хуанга (Frank Huang), эскалация напряжённости в торговле между США и Китаем также приведёт к замедлению развития китайской полупроводниковой промышленности в целом. Запрет США на экспорт для Fujian Jinhua, обвиняемой вместе с UMC в краже коммерческих тайн Micron, является серьёзным препятствием на пути развития сектора памяти Китая. Первоначально Fujian Jinhua планировала приступить к производству DRAM первого поколения по технологи 3X-нм в конце 2018 года, но теперь деятельность компании переживает этап неопределённости.
Тем не менее, сама эта ситуация может ещё сильнее подтолкнуть китайское правительство к активным действиям по развитию местных высокотехнологичных отраслей промышленности, чтобы повысить самостоятельность страны, хотя речь идёт о долгой и сложной дороге.
Две других китайских начинающих компании в области памяти — Yangtze Memory Technologies (YMTC) и Innotron Memory (известная ранее как Hefei ChangXin или Hefei RuiLi) — готовятся к началу коммерческого производства в 2019 году, что станет значительным прогрессом Китая в области DRAM. Согласно последним сообщениям, YMTC приступила к поставке образцов своего 64-слойного 3D-NAND-чипа, а массовое производство, вероятно, начнётся в третьем квартале 2019 года. В 2020 году компания планирует перейти к массовому производству уже 128-слойной памяти.
Innotron должна представить свои инженерные образцы 8-Гбит чипов DDR4 в конце 2018 года и 8-Гбит LPDDR4 — в третьем квартале 2019 года, о чём заявил недавно назначенный исполнительный директор Имин Зу (Yiming Zhu). Компания также планирует завершить освоение 17-нм технологического процесса в 2021 году.
Источник: 3dnews.ru
