Samsung и Qualcomm уже анонсировали процессор следующего поколения, который будет использоваться в самых производительных смартфонах следующего года, Snapdragon 835. Помимо того, что он производится по 10-нанометровому техпроцессу FinFET от и еще некоторых деталей, обе компании не рассказали про его технические характеристики.
Благодаря очередной утечки из Китая стали известны предполагаемые технические характеристики Snapdragon 835. Согласно полученному документу, новый чипсет от Qualcomm снабжен восемью ядрами вместо четырех, так что следующее поколение процессоров будет восьмиядерным в отличие от Snapdragon 820 и 821.
Также новое решение сможет похвастаться новой графикой — Adreno 540. Более того, анонсированный процессор должен получить поддержку UFS 2.1, следующая итерация технологии Universal Flash Storage. 
Universal Flash Storage версии 2.1 предложит значительные улучшения по сравнению с предыдущими, обеспечивая безопасность данных с помощью встроенного шифрования между процессором и устройством хранения. В этом документе также упоминается, что новый чипсет появится на борту флагманских смартфонов в первом квартале 2017 года, а Galaxy S8 может стать одним из первых.
Также стоит отметить, что в утечке упоминается еще одно решение, релиз которого должен состоятся уже во втором квартале 2017 года. Это Snapdragon 660, который получит восемь ядер, видеоускоритель Adreno 512 и поддержку Universal Flash Storage версии 2.1. Тем не менее, Snapdragon 660 будет изготавливаться по 14-нанометровому техпроцессе, а не на 10-нанометровом, как старшая модель.
Источник
Прощай Copilot: Microsoft убирает раздражающий ИИ из приложений Windows 11
Microsoft в рамках масштабного исправления Windows 11 удаляет горячие клавиши Copilot из приложений. Последнее обновление «Блокнота» в рамках программы Windows...
Read more
