Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска скоростных модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 объемом 512 ГБ для следующего поколения флагманских смартфонов, планшетов и других мобильных устройств.
Новая флэш-память eUFS 3.1 втрое быстрее прошлого поколения, изготовленного в соответствии со стандартом eUFS 3.0. Говоря конкретнее, новые модули обеспечивают пиковую скорость последовательной записи 1200 МБ/с против 410 МБ/с у моделей eUFS 3.0. Это более чем в два раза быстрее, чем у ПК с накопителем SATA (540 МБ/с) и в десять раз быстрее по сравнению с картой памяти microSD UHS-I (90 МБ/с). К слову, с момента освоения выпуска последних прошло немногим больше одного года.
Заявленная пиковая скорость последовательного чтения составляет прежние 2100 МБ/с, максимальная производительность на операциях чтения с произвольным доступом заявлена на уровне 100 000 IOPS (прирост в 1,6 раза), а записи — 70 000 IOPS (прирост в 1,03 раза).
По словам корейского производителя, в смартфонах с новой памятью eUFS 3.1 потребуется всего около 1,5 минуты для перемещения 100 ГБ данных, тогда как в моделях с UFS 3.0 эта же операция займет более четырех минут.
Кроме модулей eUFS 3.1 максимального объема 512 ГБ, производитель предлагает версии объемом 128 и 256 ГБ. Они также будут использоваться в смартфонах, которые выйдут на рынок в этом году. Доподлинно известно, что память eUFS 3.1 получит смартфон Redmi K30 Pro, чья презентация состоится 24 марта.
Массовое производство памяти V-NAND пятого поколения, используемой в этих модулях, стартовала в этом месяце на новом китайском заводе X2 в Сиань. В обозримом будущем Samsung планирует завершить модернизацию линии на фабрике Пхёнтхэк (Pyeongtaek) в Южной Корее и начать выпускать память V-NAND шестого поколения для дальнейшего удовлетворения спроса.
В заключение — таблица с хронологией освоения Samsung выпуска модулей встраиваемой мобильной флэш-памяти eUFS.
Источник: Samsung Electronics
