SK Hynix, демонстрировавшая на выставке CES 2020 в январе готовый модуль памяти DDR5-4800 МГц, подтвердила планы начать серийный выпуск микросхем памяти DRAM DDR5 уже в этом году, а заодно раскрыла немало новых подробностей о будущих чипах.
Отметим, что впервые эти сроки производитель назвал больше года назад.
Напомним, JEDEC анонсировала разработку памяти DDR5 еще в 2017 году. Финальная спецификация стандарта еще не была опубликована, но образцы модулей DDR5 на кристаллах плотностью 16 Гбит есть и не только у SK Hynix, но и у Micron и Samsung. Как мы писали на днях, производители вовсю готовятся к началу поставок модулей DDR5 DIMM для серверов в этом году.
Спецификация DDR5 предусматривает повышение производительности до 6400 MT/s (миллионов транзакций в секунду) с 3200 MT/s для памяти предыдущего поколения при одновременном существенном снижении напряжения, что обеспечит огромный прирост энергоэффективности (ГБ/с на ватт затрачиваемой мощности) по сравнению с памятью предыдущего поколения. Также стандарт DDR5 принесет более высокую пиковую плотность (в четыре раза — до 64 Гбит), улучшенную гранулярность исполнения, а также вдвое большую длину пакета BL16, внутренних банков и групп банков.
В свежем заявлении SK Hynix подчеркивает, что ее новая память DDR5 создавалась в тесном сотрудничестве с JEDEC и в полной мере соответствует требованиям нового стандарта.
SK Hynix планирует начать с кристаллов плотностью 16 и 24 Гбит, изготавливаемых по технологии 1znm 10-нм класса. В конечном итоге производитель рассчитывает выйти на режим DDR5-4800 для первого поколения чипов DDR5. Для сравнения, текущие модули DDR4 DIMM поддерживают частоты 2800-3200 МГц.
Говоря об архитектурных улучшениях, число банков (это ячейки памяти внутри чипа SDRAM, которые разделяются на два, независимых банка ячеек) по сравнению с DDR4 возрастет вдвое — с 16 в 4 группах до 32 в 8 группах. Также упоминается функция динамического обновления банков Same Bank Refresh, которая позволит еще сильнее повысить пропускную способность (по оценкам, дополнительно на 6-9%. Другими ключевыми особенностями новой памяти DDR5 станет добавление поддержки механизма коррекции ошибок ECC на уровне кристалла, а снижение напряжения питания с 1,2 В до 1,1 В, что позволит сократить энергопотребление примерно на 20%.
Известно, что память DDR5 DRAM будут поддерживать процессоры AMD EPYC Genoa и Intel Xeon Scalable Sapphire Rapids. Что касается появления DDR5 в массовых ПК, то этого не стоит ждать раньше второй половины 2021 года, а то и начала 2022 года. Согласно прогнозу IDC, в следующем году память DDR5 займет 22% общего рынка DRAM, а к концу 2022 года ее доля достигнет 43% в общем объеме. К слову, DDR4 перешагнула 45-процентный рубеж в 2016 году.
Источник: Wccftech
