Компания GOODRAM сообщила о выпуске нового высокоскоростного твердотельного накопителя IRDM M.2.
Твердотельный накопитель GOODRAM IRDM M.2 выполнен на базе 8-канального контроллера Phison E12 и чипов флэш-памяти TLC 3D NAND. Новинка использует интерфейс подключения PCIe 3×4 и оснащена DRAM буфером, который призван обеспечить стабильную работу при интенсивных нагрузках.
На выбор пользователей предлагаются модели ёмкостью 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Устройство обеспечивает скорость чтения до 3200 МБ/с и скорость записи до 3000 МБ/с. Подробные технические характеристики и цены различных моделей IRDM M.2 представлены в следующей таблице.
| Ёмкость | 256 ГБ | 512 ГБ | 1 ТБ | 2 ТБ |
|---|---|---|---|---|
| Скорость чтения | 3000 МБ/с | 3200 МБ/с | 3200 МБ/с | 3200 МБ/с |
| Скорость записи | 1000 МБ/с | 2000 МБ/с | 3000 МБ/с | 3000 МБ/с |
| IOPS при случайных операциях чтения | 149 тыс. | 295 тыс. | 250 тыс. | 490 тыс. |
| IOPS при случайных операциях записи | 250 тыс. | 500 тыс. | 500 тыс. | 500 тыс. |
| Рекомендованная цена | 1060,21 грн | 1746,34 грн | 3251,65 грн | 6423,96 грн |
Новый твердотельный накопитель GOODRAM IRDM M.2 обеспечивается 5-летней гарантией производителя. Устройство уже начало поступать в продажу в Украине.
