Компания Samsung сообщила о разработке первых в отрасли модулей памяти DDR5, обладающих невероятной ёмкостью 512 ГБ. Такие модули ориентированы на применение в системах для обработки задач искусственного интеллекта, машинного обучения, гипермасштабных вычислений, аналитики, сетевых решений и других рабочих нагрузок с большим объёмом данных.
Новые модули памяти Samsung DDR5 емкостью 512 ГБ основаны на технологии HKMG (High-K Metal Gate), которая предусматривает использование диэлектриков с высоким значением диэлектрической константы и металлизированных затворов. Эта же технология применяется и для изготовления модулей видеопамяти GDDR6. Она позволяет использовать модулям на 13% меньше энергии и снижает утечки энергии.
Новые модули памяти Samsung DDR5 обеспечивают двукратный прирост производительности по сравнению с DDR4 и достигают скорости передачи данных для каждого контакта 7200 Мбит/с. Каждый модуль включает 40 чипов памяти DRAM. В свою очередь, чипы представляют собой 8-слойные конструкции, состоящие из пластин DRAM ёмкостью по 16 Гбит, которые объединены с помощью соединения TSV (Through-Silicon-Via).
Samsung уже приступила к тестированию новых модулей и намерена завершить испытания и сертификацию к тому времени, когда на рынок начнут поступать серверные системы с поддержкой памяти DDR5.
Источник: wccftech
