Накопители в современных смартфонах уже очень быстрые, но, само собой, будут ещё быстрее. И сегодня компания Samsung номинально представила следующее поколение флэш-памяти — UFS 4.0.
Samsung разработала самое производительное в отрасли решение для хранения данных Universal Flash Storage (UFS) 4.0, которое получило одобрение JEDEC.
Сотрудничая с производителями смартфонов и потребительских устройств по всему миру, мы активно работаем над созданием экосистемы для UFS 4.0, чтобы продвигать рынок высокопроизводительных мобильных решений для хранения данных
Самое главное — компания раскрыла основные характеристики. UFS 4.0 предлагает скорость до 23,2 Гбит/с на полосу, что вдвое больше, чем у UFS 3.1. В итоге, благодаря усовершенствованной памяти V-NAND седьмого поколения и фирменному контроллеру, новая память обеспечивает скорость последовательного чтения до 4200 МБ/с, а скорость записи может достигать 2800 МБ/с. Это быстрее, чем SSD в Xbox Series X, хотя и сильно не дотягивает до накопителя в PlayStation 5.
Также Samsung говорит об улучшении энергоэффективности. Новая память обеспечивает скорость 6 МБ/с на 1 мА, что на 46% лучше UFS 3.1. Кроме того, компания говорит о компактности решения. Габариты микросхемы составят 11 х 13 х 1 мм, а ёмкость будет достигать 1 ТБ.
Производство памяти UFS 4.0 стартует уже в третьем квартале текущего года. Это означает, что следующее поколение флагманских смартфонов уже сможет использовать такую память.
