В настоящее время компании-производители микроэлектроники, такие как Intel, Samsung и TSMC, уже освоили технологические процессы с размером транзистора менее 20 нм и не только вплотную подобрались к барьеру 10 нм, но и вовсю пытаются заглянуть за него. Тем не менее, использование продвинутых технологий класса 14/16-нм FinFET доступно только крупным производителям электроники, а заказчики с меньшим масштабом производства и хотели бы воспользоваться всеми достоинствами тонких техпроцессов, но не могут по причине высокой себестоимости разработки и производства таких чипов.
Транзисторы FD-SOI проще обычных планарных
Выход из тупика есть: это технология FD-SOI с размером элемента 12 нм. Разработка и производство с использованием техпроцессов класса FD-SOI существенно дешевле, но основные преимущества FinFET — низкое напряжение питания и высокая экономичность — данная технология сохраняет. Это хорошо понимает конкурент TSMC, компания GlobalFoundries, вложившая средства в разработку техпроцесса 12FDX (более продвинутая версия 22FDX). Данный вариант 12-нм FD-SOI уже используется такими компаниями, как Sony и NXP, и день ото дня список «поклонников» данного техпроцесса увеличивается, прирастая такими именами, как Everspin, QuickLogic и другими. Разумеется, TSMC не хочет терять потенциальных клиентов без боя, отдавая их GlobalFoundries.
Сравнительные характеристики FD-SOI и FinFET
Согласно имеющимся на данный момент сведениям, компания работает над созданием альтернативы техпроцессу GlobalFoundries, 12-нанометрового процесса FinFET, который должен стать эволюцией уже освоенной технологии 16-нм FinFET. Разрабатываемый техпроцесс берёт своё начало в 16-нм версии FFC (FinFET Compact), а эта версия создавалась специально для производства микрочипов, востребованных производителями мобильных устройств. Она оптимизирована для снижения стоимости и увеличения экономичности конечных устройств. Техпроцесс FFC изначально должен был представлять собой четвёртое поколение 16-нм процессов TSMC, но было решено выпустить его в качестве отдельной технологии. 12-нанометровый вариант FFC должен стать доступным в 2018 году, на год позже классического 10-нм FinFET. Эта технология станет пропуском в мир FinFET для тех, кому такие чипы ранее были не по карману.
Источник: 3dnews.ru
