На следующей неделе компания Qualcomm в рамках выставки потребительской электроники сообщит новые подробности о флагманском процессоре Snapdragon 835. Известно, что данный чипсет выполнен по 10-нм техпроцессу FinFET, а также на 27% мощнее и на 40% энергоэффективнее предыдущего поколения. Благодаря данным из разных бенчмарков мы узнали, что в Snapdragon 835 используется восемь ядер Kryo, работающих на частоте 2,2 ГГц. В тесте AnTuTu этот процессор набрал 181 434 балла, установив тем самым новый рекорд. Теперь в сеть попали результаты тестирования Snapdragon 835 в бенчмарке Geekbench, где чип смог получить 1 844 балла в одноядерном тесте и 5 426 — в многоядерном.
Для сравнения, четырёхъядерный Snapdragon 821 набирает в Geekbench около 1 880 очков в одноядерном тесте и 4 270 — в многоядерном. То есть прирост производительности Snapdragon 835 можно будет заметить лишь при сильной нагрузке. При этом четырёхъядерный Apple A10 Fusion, установленный в iPhone 7 и iPhone 7 Plus показывает в Geekbench порядка 3 450 и 5 650 баллов в одноядерном и многоядерном тестах соответственно. Восьмиядерный Kirin 960, который можно найти в Huawei Mate 9, может похвастать 1 950 баллами в одноядерном тесте и 6 440 баллами при работе всех ядер.
Источник: 4pda.ru
