Qualcomm сообщила, что озвучит подробности нового чипсета Snapdragon 835 на выставке CES 2017, которая стартует в Лас-Вегасе уже на этой неделе. На данный момент известно, что он будет построен на 10-нм архитектуре FinFET, а разработка ведется при активной поддержке Samsung (автора первого в мире 10-нм чипа). Сегодня состоялась утечка, благодаря которой мы знаем все остальные подробности этого чипсета. Итак, нас ждет восьмиядерный CPU, построенный на энергоэффективной архитектуре Kryo 280. Она предусматривает квартет «сильных» ядер с пиковой частотой 2,45 ГГц и еще четыре ядра с заниженным энергопотреблением и частотой 1,9 ГГц. Сопровождается он графическим ускорителем Adreno 540 с поддержкой DX12, OpenGL и инструментов Vulkan, высокоскоростным сетевым модулем LTE X16, аудиочипом Qualcomm Aqstic Audio, обновленных чипом Hexagon DSP и Spectra ISP. Особенностью Snapdragon 835 стали также сниженные габариты, что позволит производителям прибавить в емкости аккумуляторной батареи при этом не жертвуя толщиной. Ожидается, что первым устройством на новом флагмане станет Samsung Galaxy S8, а затем настанет черед Xiaomi Mi6. Через несколько дней все это будет озвучено официально.
Источник: mobiltelefon.ru
