Компания Nantero получила $21 млн на свой проект памяти на основе углеродных нанотрубок. Эта технология должна стать альтернативой обычных полупроводниковых микросхем.
На основе этих микросхем компания Woburn, штат Массачусетс, делает энергонезависимую память с произвольным доступом (NRAM), которая может быть использована в различных продуктах, таких как смартфоны, планшеты, корпоративные системы и ноутбуки, а также настольные компьютеры.
Ведущим инвестором является Globespan Capital Partn, а выпуском новой память займётся Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor, при этом память будет производиться в форм-факторе DDR4. В перспективе ёмкость чипов памяти должна достичь 1 Тбит.
Кроме этого, NRAM свойствами тепло- и электропроводности, которые лучше, чем у чипов из любых других материалов. Скорость работы сравнима с DRAM и примерно в 100 раз больше обычной флэш-памяти, при этом цена весьма невелика.
Отметим, что NRAM – это энергонезависимая память, так что из неё вполне можно делать накопители. Принцип её действия основан на механическом позиционировании углеродных нанотрубок, размещенных на чипообразной подложке. Перекрещивающиеся нанотрубки на плоской поверхности могут или касаться друг друга, или разделяться в вертикальном направлении (по отношению к подложке) за счет притяжения Ван-дер-Ваальса. В технологии Nantero каждая NRAM-«ячейка» состоит из некоторого количества нанотрубок, нанесенных на изолирующие «участки» на металлических электродах. Остальные нанотрубки располагаются над электродом «в воздухе», на высоте примерно 13 нм, растягиваясь между двумя участками. Небольшое пятно золота помещается на вершину нанотрубок одного из участков, обеспечивая электрическое соединение, то есть клемму. Второй электрод находится под поверхностью на расстоянии примерно 100 нм.
Обычно к нанотрубкам, нависающим над электродом, прикладывается небольшое напряжение между клеммой и выше расположенным электродом, в результате чего прохождение тока прекращается. Это представляет состояние «0». Однако, если применить большее напряжение между двумя электродами, то нанотрубки будут притягиваться к верхнему электроду, пока не коснутся его. В этот момент небольшое напряжение, приложенное между клеммой и верхним электродом, позволит току свободно протекать (нанотрубки являются проводниками), означая состояние «1». Состояние может быть изменено путём изменения полярности заряда, прикладываемого к двум электродам.
Использовать данный механизм как память позволяет тот факт, что в обоих позициях нанотрубки стабильны. В отключенном состоянии механическая деформация трубок низкая, поэтому они естественным образом сохраняют эту позицию, тем самым «запоминая» «0». Когда трубки притянуты к контакту при приложении к верхнему электроду нового заряда, в игру вступают крошечные силы Ван-дер-Ваальса, и их оказывается вполне достаточно, чтобы заставить трубки испытать механическую деформацию. Приняв данную позицию, трубки продолжат сохранять её, тем самым «запоминая» «1». Эти позиции довольно устойчивы к внешнему воздействию, например, радиации, которая может стирать или повреждать данные в обычной DRAM-памяти.
![Коллекция обоев Huawei Pura 70 стала доступна всем желающим [скачать]](https://itoboz.com/wp-content/uploads/2024/04/kollekcia_oboev_huawei_pura_70_stala_dostupna_vsem_zhelauschim_skachat_picture7_0_resize-1-350x250.jpg)
