Ещё в прошлом месяце компании Samsung и Qualcomm Technologies объявили о расширении сотрудничества, результатом которого должен стать флагманский чипсет Snapdragon 835. Тогда же стало известно о том, что новый процессор построен на базе 10-нм техпроцесса FinFET, не так давно представленного специалистами Samsung. Он поддерживает стандарт быстрой зарядки Quick Charge 4.0, версия которого, в свою очередь, совместима со стандартом USB Power Delivery. Несмотря на имеющуюся информацию, новых подробностей о производительности Snapdragon 835 представители Qualcomm до настоящего момента не спешили раскрывать.
Тем временем благодаря GFXBench стали известны результаты тестов графического ускорителя Adreno 540. Согласно предоставленным данным, Adreno 540 оказался на 30% быстрее, чем Adreno 530 в Snapdragon 821. Такой показатель может свидетельствовать об использовании восьми вычислительных ядер Kryo, работающих с тактовой частотой 2,2 ГГц.
Кроме того, в соответствии с опубликованными данными протестированное устройство на Snapdragon 835 имеет 5,9-дюймовый экран с разрешением 2560×1440 пикселей, 4 ГБ оперативной и 64 ГБ встроенной памяти, 20-мегапиксельную основную и 12-мегапиксельную фронтальную камеры, посредством которых можно осуществлять видеосъёмку в разрешении 4K. Девайс оснащён акселерометром, гироскопом, датчиком приближения и поддерживает Bluetooth, GPS, NFC и Wi-Fi.
Как и было объявлено ранее, смартфоны и планшеты на базе Qualcomm Snapdragon 835 появятся в первой половине 2017 года. В числе первых устройств, претендующих на получение нового чипсета, станут Samsung Galaxy S8, LG G6 и Xiaomi Mi6.
Источник: 4pda.ru
