Ещё в ноябре 2016 года компания Toshiba была полна планов расширять производство по выпуску многослойной флеш-памяти BiCS FLASH (в общем случае — это память типа 3D NAND), а уже к концу января 2017 года она заговорила о необходимости продать часть полупроводникового бизнеса сторонней компании или компаниям. Всему виной стала ошибочная политика американского подразделения Toshiba, отвечающего за атомную энергетику на территории США. К счастью, запланированное на февраль 2017 года начало строительства нового завода Toshiba по производству памяти 3D NAND никто не отменил. Начало строительство стартовало в срок — 9 февраля.
Новый завод компании получил название Fab 6. Строительство и запуск предприятия в строй пройдёт в два этапа. Линии первой очереди начнут выпускать флеш-память BiCS FLASH летом 2018 года. Объёмы производства будут определены позднее в соответствии с рыночной ситуацией. Как видим, Toshiba не намерена держать полупроводниковый бизнес в загоне, хотя испытывает сильнейший за свою историю финансовый стресс. Отчасти компания рассчитывает привлечь к инвестициям в постройку Fab 6 своего нового производственного партнёра — компанию Western Digital, но без личной инициативы Toshiba этот проект мог быть отложен в долгий ящик.
Кроме завода по выпуску памяти рядом с новыми цехами начинает строиться новый исследовательский центр Toshiba. Центр займётся разработкой технологий производства перспективных видов памяти и усовершенствованием задействованных технологий выпуска 3D NAND. Завершение строительства центра ожидается в декабре 2017 года. Интересно добавить, что производством на заводе Fab 6 должен будет управлять искусственный интеллект. Тем самым в Toshiba рассчитывают заметно увеличить выход продукции за счёт лучшей организации производственных циклов.
В настоящий момент Toshiba выпускает 64-слойную память 3D NAND TLC ёмкостью 256 Гбит. Во второй половине года она планирует начать производство 64-слойной памяти 3D NAND TLC ёмкостью 512 Гбит. Судя по всему, предприятие Fab 6 начнёт свою работу летом 2018 года с производства 64-слойных 512-Гбит микросхем 3D NAND.
Источник: 3dnews.ru
