Компания Samsung заявила о разработке нового твердотельного накопителя, выполненного в форм-факторе E1.S и обладающего поддержкой стандарта PCIe Gen. 4. Компания также анонсировала референсный дизайн для систем хранения на базе накопителя E1.S.
Твердотельный накопитель Samsung PM9A3 выполнен на базе 3-битных чипов V-NAND шестого поколения. Новинка будет доступна в трёх форм-факторах: E1.S, M.2 и U.2. При этом версии в исполнении E1.S и U.2 способны достигать последовательной скорости чтения до 6500 МБ/с и скорости записи до 3500 МБ/с. Количество операций ввода-вывода при выполнении случайных операций чтения достигает 900 тыс., а для случайных операций записи этот показатель заявлен на уровне 180 тыс.
Высокая скорость передачи данных обеспечивается благодаря использованию интерфейса PCIe Gen. 4 (x4), который обеспечивает 2-кратный прирост пропускной способности по сравнению с предыдущей версией стандарта PCIe Gen. 3. Также высокой скорости способствует выделенный аппаратный ускоритель. Твердотельный накопитель Samsung PM9A3 будет доступен в виде моделей ёмкостью от 960 ГБ до 7,68 ТБ.
Samsung надеется, что исполнение E1.S с коннектором EDSFF получит признание в отрасли благодаря ряду преимуществ. Производитель отмечает, что в центрах обработки данных переход от накопителей U.2 к E1.S позволит увеличить количество SSD в каждом сервере за счёт освобождения одной стойки 1U. Кроме того, сообщается о снижении о стоимости владения накопителями.
Источник: sammobile
