Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем DRAM DDR5 с рекордной в отрасли плотностью кристаллов — 24 Гбит.
Первую микросхему DRAM DDR5 плотностью 16 Гбит SK Hynix выпустила в октябре 2020 года. И вот сейчас южнокорейский производитель увеличивает плотность до 24 Гбит (стандарт DDR5 предусматривает пиковую плотность 64 Гбит).
Новая память выпускается по улучшенной технологии 1anm с использованием литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Производитель говорит о повышении процента выхода годной продукции и скорости до 33% при сниженном на 25% энергопотреблении по сравнению с актуальными продуктами
Новые чипы лягут в основу будущих модулей DDR5 объемом 48 и 96 ГБ, которые сначала найдут применение в дата-центрах, а потом, вероятно, доберутся и до потребительских ПК.
SK Hynix уже отгрузила первые образцы новой памяти заказчикам, а широкие поставки начнутся в следующем году. В пресс-релизе среди партеров указывается Intel, готовящаяся к выпуску серверных процессоров Xeon Scalable 4-го поколения (Sapphire Rapids) c DDR5 и PCIe 5.0 — они будут опираться на актуальную архитектуру Golden Cove (Core 12-го поколения).
Не секрет, что память DDR5 сейчас в большом дефиците, чем вовсю пользуются перекупщики. Ранее MSI прогнозировала, что потребуется не меньше двух лет, чтобы цены на DDR5 снизились до текущего уровня DDR4
