Компания SK Hynix, один из ведущих производителей микросхем памяти, планирует опередить лидера отрасли Samsung Electronics и раньше него запустить серийное производство наиболее передового поколения чипов трехмерной памяти NAND flash с 72 слоями ячеек хранения данных, передает Nikkei.
Накануне в руководстве южнокорейской компании объявили, что разработка 72-слойных микросхем 3D NAND должна завершиться в первой половине 2017 года. SK Hynix ставит цель запустить производство этих чипов на своем заводе в городе Ичхон (Icheon) во втором полугодии.
Побуждаемые высоким спросом на микросхемы памяти со стороны производителей смартфонов и оборудования для ЦОД, ведущие чипмейкеры переходят на технологию 3D NAND, позволяющую размещать ячейки памяти в несколько слоев. Это дает возможность преодолеть существующие ограничения плотности размещения ячеек флеш-памяти, а также повысить уровень производительности и долговечности данного типа памяти.
В настоящее время наиболее передовые чипы 3D NAND выпускает Samsung: в них насчитывается 64 слоя ячеек хранения данных. Японская компания Toshiba также планирует запустить производство этого вида флэш-памяти.
Что касается SK Hynix, то на ее предприятиях сейчас выпускаются 48-слойные чипы 3D NAND. Таким образом, судя по объявленным планам, южнокорейский чипмейкер намерен перескочить через одно поколение и сразу наладить производство 72-слойных микросхем.
Также руководство SK Hynix объявило о планах по строительству нового завода по выпуску чипов NAND flash в Южной Корее. Его возведение начнется в августе 2017-го, а сдать фабрику предполагается в июне 2019-го. На строительство компания выделяет 2,2 трлн вон (1,82 млрд долларов США). На закупку полупроводникового оборудования потребуется дополнительное финансирование, объем которого будет определен позднее в зависимости от рыночных условий на тот момент, отметили в SK Hynix.
По прогнозам аналитической компании IHS, который приводит издание The Korea Herald, в ближайшее время мировой рынок памяти NAND flash в натуральном выражении будет в среднем расти на 44% в год. Предполагается, что общая емкость выпущенных чипов увеличится с 82 млн гигабайт в 2015-м до 500 млн гигабайт в 2020-м.
На данный момент SK Hynix считается пятым по величине производителем NAND flash в мире. По оценкам аналитиков DRAM Exchange, рыночная доля компании составляет 10,4%. По вкладу в отрасль SK Hynix опережают конкурирующие производители Samsung Electronics, Toshiba, Western Digital и Micron.
Источник: dailycomm.ru
