IT обозрение


Новости интернета и компьютерных технологий

Раскрыты спецификации первых массовых модулей памяти DDR5: 64 ГБ, 4800 МГц, CL40, в дальнейшем – до 128 ГБ, 6400 МГц (более 10000 МГц в разгоне)

27 апреля
17:34 2021

Раскрыты спецификации первых массовых модулей памяти DDR5: 64 ГБ, 4800 МГц, CL40, в дальнейшем – до 128 ГБ, 6400 МГц (более 10000 МГц в разгоне)

Недавно сообщалось, что первые модули памяти DDR5 успешно прошли фазу тестирования. Такие устройства уже запущены в массовое производство, а теперь раскрыты спецификации этих комплектов.

Китайские производители памяти уже проверяют совместимость своих модулей памяти с материнскими платами ASUS, MSI, ASRock, Gigabyte и др. Новая платформа Intel Alder Lake (процессоры Core 12-го поколения) первой получит поддержку памяти DDR5.

Начиная с этого года, будет доступна оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. Обе версии поддерживают частоту 4800 МГц при таймингах CL40 и рабочем напряжении питания 1,1 В. Это стандартные рабочие частоты. Можно также ожидать, что некоторые известные бренды, такие как G.Skill, Corsair, Kingston, будут выпускать и более скоростные модули, работающие с частотами 5000-5400 МГц.

В течение 2021-2022 годов производители памяти смогут предлагать более совершенные модули DDR5, которые будут иметь объём 32 ГБ и 64 ГБ. Такие модули сохранят напряжение питания 1,1 В, но тайминги достигнут уровня CL46. Модули памяти объёмом 128 ГБ также ожидаются в период между 2021-2022 годами. Производители памяти рассматривают целевой период их выпуска – в середине 2022 года, хотя некоторые ограниченные комплекты могут появиться в продаже и раньше, но по очень высоким ценам. Модули объёмом 128 ГБ будут иметь частоту 5600 МГц, тайминги CL46 и частоту 1,1 В.

В период с 2022 по 2023 год ожидается существенное улучшение характеристик памяти. Массовые модули будут поставляться с емкостью 64 ГБ и 128 ГБ и поддерживать частоту до 6400 МГц (без разгона), что является максимальным пределом для DDR5 в соответствии со стандартом. Эти модули памяти DDR5 сохранят напряжение 1,1 В и будут иметь тайминги CL52.

Как ожидается, специальные разогнанные комплекты памяти DDR5 DRAM будут иметь гораздо более высокие рабочие частоты и уменьшенные тайминги. В будущем также появятся более быстрые модули памяти, а некоторые производители даже говорят о частотах (в рамках этапа исследования) более 10000 МГц.

Ожидается, что память DDR5 позволит увеличить производительность более чем в 2 раза по сравнению с DDR4. Мы уже видели, что память DDR4 способна достигать в условиях разгона частоты более 7 ГГц. Поэтому частота более 10 ГГц не кажется большой проблемой для памяти следующего поколения.

Источник: wccftech



Warning: count(): Parameter must be an array or an object that implements Countable in /home/u831963282/domains/itoboz.com/public_html/wp-content/themes/legatus-theme/includes/single/post-tags.php on line 5

Статьи по теме

0 0 голос
Article Rating
Подписаться
Уведомить о
guest
0 Комментарий
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии

Последние новости

    Модульная клавиатура без недочётов геймерской механики. Обзор ASUS ROG Claymore II

1:23 Модульная клавиатура без недочётов геймерской механики. Обзор ASUS ROG Claymore II

0 комментариев Читать всю статью